eVoS LE 偏置波形發生器_北京菠萝蜜免费视频科技（jì）有（yǒu）限公司

功率輸出係統

Advanced Energy 經過現場驗證（zhèng）的 Precision Power™ 解決（jué）方案可在各種等離子電源應（yīng）用中提供（gòng）同類產（chǎn）品最佳的控製和穩定性（xìng）。我（wǒ）們全麵的功率輸出技術 40 多年來不斷引領工藝創新，並將與我們的合作（zuò）夥伴一起繼續推動技術向前發（fā）展。

功（gōng）率輸出（chū）係統

直接控製襯底電壓和（hé）離子能（néng）的非（fēi）對稱偏（piān）置（zhì）波形發生器

eVoS LE 偏（piān）置波形發生器（qì）

eVoS™LE是一種非對稱偏置波形發生器，旨在實現對基於等（děng）離子體的蝕刻和沉積工藝中晶圓表麵電壓和（hé）由（yóu）此（cǐ）產生的離（lí）子能量（liàng）分布（IED）的直接控製。eVoS係（xì）統由（yóu）雙向電壓電源與獨（dú）立電流源（yuán）相結合，以建（jiàn）立和控製晶圓表麵（miàn）電位。eVoS的非對稱輸出消除（chú）了正弦射頻偏置應用所固有的（de）晶（jīng）圓偏置的限（xiàn）製和（hé）限製。快速數字計（jì）量和新的控製算法使生產接近單能量的IED成為可能。使用附加參數來定製晶圓表麵電壓的平均和時變方麵以及（jí）由此產生的離子能量分布（bù）。

特點（diǎn）規格技術文檔

特點

產生（shēng）接近（jìn）單能（néng）離子能量分布的能力
具（jù）有同步所（suǒ）需輸入和輸出信（xìn）號（hào）的脈衝能力
集成設計和緊湊的尺寸消（xiāo）除了對匹配網絡的需求
高速（sù）計量提供實時（shí）偏置電壓和離子電流反饋
窄（zhǎi）、寬和（hé）多峰值分布
適（shì）用於標準腔室接口
實現對晶片偏置電壓和由此產生的離子能量的直接（jiē）控製
與RF偏置方法相比，增益增強的離子能量選擇（zé）/辨別
顯著提高蝕刻（kè）選擇性，實現更短的工藝和更直、更深的特征
通過使用“正確（què）的功率”來減（jiǎn）少功率，隻提供有用的離（lí）子能量
簡化偏置功率集成

規格

技術文檔

eVos LE Data Sheet