eVoS ME 非對稱偏置波形（xíng）發生器_北京（jīng）菠萝蜜免费视频科技有限（xiàn）公司（sī）

功率輸出係統

Advanced Energy 經過現場驗證的（de） Precision Power™ 解決方案可在各種等離（lí）子電源應用中提供（gòng）同類產品最（zuì）佳的控製和穩定性。我（wǒ）們全麵的功率輸出技術 40 多年來不斷引領工藝創新，並將與我（wǒ）們的合作夥伴一起繼續推動技術向前發展。

功率輸出係統

用於直（zhí）接控製襯底電壓和離子能（néng）量的非對稱偏置波（bō）形發生器/功率輸出係統

eVoS ME 非對（duì）稱偏置波形發生器

eVoS™ME非對稱偏置波形發生器旨在實現對基於等離子體的蝕刻和沉積工藝中的晶圓-表麵電壓和由此產生的離子能量（liàng）分布（IED）的直接控製。 eVoS係統（tǒng）包括（kuò）敏捷高壓電源與創新的非對稱（chēng）波形產生技術相結合，以建（jiàn）立和控製晶圓表麵電位。 eVoS的非對稱輸出消除（chú）了正弦射頻偏置應用中固有的晶圓偏置的限製和限製（zhì）。快速（sù）數字計量和新穎的控製算法使生產（chǎn）接近單能量的IED成為可能（néng）。

特點規格技術文檔

特點（diǎn）

縮小芯片尺寸和高縱橫比結構（gòu）需要對離（lí）子能量進行（háng）嚴（yán）格控製（zhì）。

通過eVoS™平台，AE引入了偏置技術的範式轉變。

通過最（zuì）大限度地提高定（dìng）製離（lí）子能量的能力，eVoS能夠（gòu）在非（fēi）常小的尺寸上精確地控製蝕刻和沉積幾何形狀。

晶片（piàn）表麵電壓和離子能量分布（IED）的直接控製使（shǐ）工（gōng）藝工程師能夠針對特定的工藝結（jié）果優化偏置性能（néng），確保敏（mǐn）感特征（zhēng）的形成。

此（cǐ）外，與替（tì）代技術相比，快速數字計量（liàng）和新穎的控製（zhì）算（suàn）法能夠生產更窄（zhǎi）的IED。

規格

技術文檔

eVoS ME Data Sheet